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多晶硅料回收生产能力逐渐增加，原材料制造商有了更多的选择，也会放弃一些使用价值低浪费。但是这个过程是相对简单的，低成本的回收材料仍然可以降低成本，是主要的坩埚基地和半导体材料浪费等等。
我们必须除了石英坩埚基地和半成品半导体晶片和金属加工电路通常使用洗衣篮，篮子静态浸泡12小时(根据酸的浓度和比例)。这种方法是最简单和节省成本。问题的表面仍在物质和酸反应的过程中，酸处理能力需要慢慢地释放了很长一段时间。在这种情况下，如果加入循环泵，用于混合酸，缩短浸泡时间可以统一处理的效果。
如果使用超过锅小颗粒床的传统方法，打破细胞和电路的半导体材料浸泡很难处理或将导致更多的浪费。因为在处理的过程中杂质、酸材料中心的处理能力大大减弱，和外围酸的强度不会改变，而且硅材料的损失。在这种情况下，应该使用倾斜浸泡，利用浮力，使材料均匀性过程中酸浸过程。
